简介： 一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，以重量计，包括以下原料：铝20～40份、镁6～10份、碳化硅微粉15～19份、碳纤维增强体10～20份、钛10～14份、铌2～6份、铂3～7份、铁10～20份、铜10～14份；本发明的有益效果是在原料中加入了钛、铌、铂和碳纤维增强体，从而使铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料的结构强度更高，防止铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料在使用时发生损坏。