简介： SiQDs‑MoS2/rGO复合材料及其制备方法和应用，本发明涉及二硫化钼石墨烯复合材料及其制备方法和应用。本发明是要解决现有的纯MoS2作为电极材料时电容量低的技术问题。本发明的SiQDs‑MoS2/rGO复合材料，是以还原氧化石墨烯为网状支撑体，以硅量子点复合二硫化钼的纳米花球为分散材料的复合体，纳米花球嵌在还原氧化石墨烯的片层间。制法：一、硅量子点的合成；二、制备氧化石墨烯分散液；三、SiQDs‑MoS2/rGO复合材料的制备。在0.5A/g的电流密度下，比电容达到924.7F/g，当电流密度升高到10A/g时，比电容仍然能够保持512.7F/g。可用作于超级电容器的电极材料。