简介： 本发明公开了一种NiS/rGO复合材料及其制备方法与在气敏材料中的应用。本发明在磁场辅助下经高温水浴制备出Ni纳米线，经高温退火制得NiO纳米线，通过离子交换反应制备出NiS纳米线，并将其与GO进行复合，经高温还原构筑出基于NiS/rGO复合材料的多级异质结构，并制成气体传感器，在常温下探究了器件对NO2气体的气敏响应特性。硫化镍（NiS）/还原氧化石墨烯（rGO）复合材料气体传感器遵循表面电荷控制模型，还原氧化石墨烯与金属硫化物形成的复合材料整体呈现半导体特性，电子被捕获使得材料中电子浓度降低，空穴浓度增加，为空穴导电类型，因此传感器的电导率增加，电阻减小。