简介： 本发明属于纳米材料制备的技术领域，具体涉及一种金属型二硫化钼量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料及其制备方法。制备方法包括：(1)采用手动研磨法将大尺寸半导体型MoS₂块体研磨得到半导体型MoS₂粉末；(2)对半导体型MoS₂粉末进行锂插层处理；(3)将锂插层处理后的半导体型MoS₂粉末分散在溶剂中，并进行超声处理，离心分离，得到金属型MoS₂量子点溶液；(4)将TiN纳米管阵列置于金属型MoS₂量子点溶液中，然后依次进行超声处理、浸泡、干燥，得金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料。本发明的金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料具有优异的电催化性能和稳定性。