微电子封装用可伐/银合金复合材料及其制备方法
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微电子封装用可伐/银合金复合材料及其制备方法
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简介: 一种微电子封装用可伐/银合金复合材料及其制备方法,该复合材料中银合金钎料层中Cu的含量为30~35wt%,Ti的含量为0.1~5.0wt%,Ni的含量为0.1~1.0wt%,余量为Ag;可伐合金层为4J29或4J34。制备方法包括:采用真空加压烧结方法制备钎料锭坯,通过热压扩散方式获得复合锭坯,经冷锻成形、中间退火、精密轧制及成品退火,获得厚度为0.15~1.5mm的层状复合材料,其中可伐合金层厚度为0.1~1mm,银合金钎料层厚度为0.01~0.5mm。本发明的可伐/银合金复合材料与陶瓷热膨胀系数匹配性好,可实现与陶瓷件良好封装。钎焊温度适中,封装工艺简单高效,器件封接后不易发生开裂,成品率高。
一种微电子封装用可伐/银合金复合材料及其制备方法,该复合材料中银合金钎料层中Cu的含量为30~35wt%,Ti的含量为0.1~5.0wt%,Ni的含量为0.1~1.0wt%,余量为Ag;可伐合金层为4J29或4J34。制备方法包括:采用真空加压烧结方法制备钎料锭坯,通过热压扩散方式获得复合锭坯,经冷锻成形、中间退火、精密轧制及成品退火,获得厚度为0.15~1.5mm的层状复合材料,其中可伐合金层厚度为0.1~1mm,银合金钎料层厚度为0.01~0.5mm。本发明的可伐/银合金复合材料与陶瓷热膨胀系数匹配性好,可实现与陶瓷件良好封装。钎焊温度适中,封装工艺简单高效,器件封接后不易发生开裂,成品率高。
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标签:复合材料
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