电子封装用定向多孔SiC-Cu复合材料及制备方法
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电子封装用定向多孔SiC-Cu复合材料及制备方法
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简介: 本发明公开了一种电子封装用定向多孔SiC-Cu复合材料及制备方法,该复合材料按体积分数计,由55~70%的SiC增强相和30~45%的Cu基质相组成,基质相和增强相是相互连续的;其制备方法采用真空溶胶-凝胶浸渍工艺结合氢气还原法在定向多孔SiC陶瓷内表面涂覆均匀连续的金属钨层,解决了SiC与Cu之间的润湿性问题,不仅使自发熔渗易于进行,而且能充分发挥Cu的高导热优势,明显改善复合材料的热物理性能。本发明工艺简单、成本低、能制备各种复杂形状的复合材料。
本发明公开了一种电子封装用定向多孔SiC-Cu复合材料及制备方法,该复合材料按体积分数计,由55~70%的SiC增强相和30~45%的Cu基质相组成,基质相和增强相是相互连续的;其制备方法采用真空溶胶-凝胶浸渍工艺结合氢气还原法在定向多孔SiC陶瓷内表面涂覆均匀连续的金属钨层,解决了SiC与Cu之间的润湿性问题,不仅使自发熔渗易于进行,而且能充分发挥Cu的高导热优势,明显改善复合材料的热物理性能。本发明工艺简单、成本低、能制备各种复杂形状的复合材料。
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