简介： 本发明属于二维MoS₂基纳米复合材料制备技术领域，涉及一种中空三明治叠层结构二硫化钼基纳米复合材料及其制备方法，其为中空结构，自内向外依次包括碳层、MoS₂层和碳层。采用SiO₂微球为模板，依次包覆碳层、MoS₂层和碳层，然后经刻蚀SiO₂后制备出中空三明治叠层结构MoS₂基纳米复合材料。所得产物其独特的中空三明治叠层结构，有利于暴露更多的活性位点，提高导电性、减少团聚，提高材料的电催化性能。因此，该复合材料的制备为其在众多领域的潜在应用提供了可能。