简介： 本发明属于金属基复合材料技术领域，公开一种Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料及其制备方法，所述制备方法包括在SiC粉体表面包覆SiO2‑Cu2O复合物，制得SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶，随后向所述复合气凝胶中加入Cu粉，混合均匀后将其于800～950℃温度下进行热压烧结，即获得金属基复合材料；其中，所述Cu粉体与所述SiC/SiO2‑Cu2O复合气凝胶的体积比为1:0.01～0.2。本发明采用SiO2‑Cu2O作为Cu与SiC界面过渡相，通过调控界面结构减小SiC与Cu润湿角，改善界面结合状态、力学性能及电学性能；且本发明的Cu/SiO2‑Cu2O/SiC金属基复合材料硬度最高达到1.4GPa；0～200℃电导率不随测试温度改变而变化，200～400℃电导率随测试温度的增加而缓慢增加，400～900℃电导率随测试温度的增加而急剧增加。