氮化铝基复合材料、其制造方法及半导体制造装置用部件
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氮化铝基复合材料、其制造方法及半导体制造装置用部件
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简介: 本发明提供一种具有与氧化铝同等或其以上耐蚀性和体积电阻率且具有比氧化铝更高的热传导率的新型材料。本发明的氮化铝基复合材料为过渡金属、碱金属、硼的各元素分别为1000ppm以下的高纯度的氮化铝基复合材料,其热传导率为40~150W/mK,热膨胀系数为7.3~8.4ppm/℃,体积电阻率为1×1014Ωcm以上,作为构成相含有AlN和MgO,进而含有从由稀土金属氧化物、稀土金属-铝复合氧化物、碱土金属-铝复合氧化物、稀土金属氧氟化物、氧化钙和氟化钙构成的组中选择的至少一种。
本发明提供一种具有与氧化同等或其以上耐蚀性和体积电阻率且具有比氧化铝更高的热传导率的新型材料。本发明的氮化铝基复合材料为过渡金属、碱金属、硼的各元素分别为1000ppm以下的高纯度的氮化铝基复合材料,其热传导率为40~150W/mK,热膨胀系数为7.3~8.4ppm/℃,体积电阻率为1×1014Ωcm以上,作为构成相含有AlN和MgO,进而含有从由稀土金属氧化物、稀土金属-铝复合氧化物、碱土金属-铝复合氧化物、稀土金属氧氟化物、氧化钙和氟化钙构成的组中选择的至少一种。
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