简介： 本发明公开了一种金属银二硫化钼插层复合材料的制备方法。该方法是一种基于高分子保护条件下的金属单质的插层方法,即先将聚合物与含有金属离子的水溶液混合形成均匀的溶胶体系,然后将溶胶插入到单层二硫化钼层间,最后对金属离子进行还原处理即得到含高分子和金属单质的二硫化钼插层复合材料。该方法开辟了合成插层复合材料的新途径,所制备的插层复合材料中金属离子已被完全转化成金属单质,而不是金属离子和金属单质的混合物。这种高分子保护条件下的金属单质的插层方法简单实用,有广阔的应用前景。本发明的材料的电导率较二硫化钼提高了6个数量级,在导电材料,润滑材料,微电子机械领域具有潜在应用价值。