简介： 本发明提供了一种TiB2/Si-Al复合材料的制备方法，属于电子封装材料制备技术领域。工艺过程包括配制混合盐、熔炼（60~70）wt%Si-Al合金、熔铸-原位合成TiB2颗粒、喷射沉积成形TiB2/Si-Al复合材料和TiB2/Si-Al复合材料热等静压五个阶段。本发明在不影响Si-Al合金的热膨胀系数、热导率和密度的前提下，有效地细化初晶硅尺寸并解决了其在Si-Al合金两相区加热保温时粗化的问题。该复合材料广泛适用于电讯、航空、航天、国防和其它相关工业电子元器件所需的新型封装或散热材料。