简介:
本发明公开了一种制备高体积分数铝基碳化硅颗粒增强复合材料的方法,低温多段烧结,烧结温度明显低于国内外现有技术(>1000℃),由碳化硅粉,铝合金制成,碳化硅粉体积分数在50%~75%之间可调。解决了现有技术中烧结温度高且容易形成杂相与有害界面相Al4C3、对设备要求高、能耗高及复合材料产品整体性能差等问题,工艺简单,成本低。
本发明公开了一种制备高体积分数
铝基
碳化硅颗粒增强
复合材料的方法,低温多段烧结,烧结温度明显低于国内外现有技术(>1000℃),由碳化硅粉,
铝合金制成,碳化硅粉体积分数在50%~75%之间可调。解决了现有技术中烧结温度高且容易形成杂相与有害界面相Al4C3、对设备要求高、能耗高及复合材料产品整体性能差等问题,工艺简单,成本低。