微米级片层状Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用
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微米级片层状Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用
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简介: 本发明公开了一种微米级片层状Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用,属于微纳米材料合成领域。本发明所使用的含硅物质为廉价易得的工业级硅源,将其按比例与氯化钠和镁粉混合,加入适量无水乙醇后研磨,真空干燥后得到前驱体。前驱体在500~700℃下煅烧后进行酸处理,洗涤、干燥后得到微米级片层状Si/SiO2复合材料。本发明原料价格低廉,工艺设备简单,整体能耗较低,适合工业化生产。本发明的制备方法,通过改变反应参数可以对Si/SiO2复合材料的组分比例进行调控,制备出的Si/SiO2复合材料形貌特征鲜明,呈微米级片层状。作为电池负极材料,具有较好的电化学性能。
本发明公开了一种微米级片层状Si/SiO2复合材料、制备方法及其应用,属于微纳米材料合成领域。本发明所使用的含硅物质为廉价易得的工业级硅源,将其按比例与氯化钠和镁粉混合,加入适量无水乙醇后研磨,真空干燥后得到前驱体。前驱体在500~700℃下煅烧后进行酸处理,洗涤、干燥后得到微米级片层状Si/SiO2复合材料。本发明原料价格低廉,工艺设备简单,整体能耗较低,适合工业化生产。本发明的制备方法,通过改变反应参数可以对Si/SiO2复合材料的组分比例进行调控,制备出的Si/SiO2复合材料形貌特征鲜明,呈微米级片层状。作为电池负极材料,具有较好的电化学性能。
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