简介： 本发明涉及一种气相渗硅工艺制备高致密纤维 增强SiC基复合材料的制备方法。首先采用气相或液相途径在 纤维表面形成保护层界面，然后通过在纳米SiC浆料浸渍、裂 解，制备成具有一定致密度的纤维增强SiC基的预制体。再通 过浸渍裂解方式向预制体中引入碳，形成具有一定孔隙的基 体，经高温处理后，以气相硅的方式渗透多孔体内部，与碳反 应并填充孔隙，得到致密基体。通过该工艺制成碳纤维增强SiC 陶瓷基复合材料密度达到2.25－ 2.30g/cm3，开口空隙率在3－6 ％，大大高于传统化学气相渗透法或有机前驱物浸渍裂解解法 得到Cf/SiC材料。