简介： 本发明公开了一种化学气相沉积碳与气相渗硅工艺联合制备SiCf/SiC复合材料的方法，包 括以下步骤：以SiC纤维为原料，采用三维编织技术制备SiC纤维编织件；以三氯甲基硅烷为 沉积原料，对SiC纤维编织件进行第一次化学气相沉积，沉积的SiC涂层厚度为0.1～70μm； 再以甲烷或丙烯气体为原料，通过第二次化学气相沉积对SiC纤维编织件沉积碳，得到SiCf/C 中间体；最后以单质硅为原料，采用气相渗硅工艺对所述的SiCf/C中间体进行渗硅得到 SiCf/SiC复合材料。本发明具有制备周期短、成本低等优点，能够制备得到高致密性、高力 学性能和热导性能的SiCf/SiC复合材料。