简介： 本发明公开了一种碳包覆硅纳米片制备方法及碳包覆硅纳米片，通过将0.1‑1g碳源加入5‑20mL水中搅拌并超声分散10‑30min；加入0.1‑1g D50粒径10‑500nm的硅粉超声分散10‑30min；100‑200℃水热反应10‑24h后离心、真空干燥得碳包覆硅纳米片。该碳包覆硅纳米片由硅纳米片及包覆在周围的碳层组成。本发明公开了用上述碳包覆硅纳米片制备的硅基复合材料及制备方法，通过将碳包覆硅纳米片、碳材料、碳源按质量比5‑12％:78‑85％:10％混合球磨，以3‑10℃/min升温至500‑1000℃煅烧5‑12h得硅基复合材料。该硅基复合材料包括碳包覆硅纳米片、碳材料和包覆碳层。本发明的碳包覆硅纳米片和硅基复合材料的碳包覆层缓冲了硅的体积膨胀，增强了导电性，硅基复合材料的双包覆碳层进一步抑制硅的膨胀，提高了首次充放电效率和循环容量保持率。