简介： 本发明涉及一种集成电路引线框架用复合材料，其特征是选用纯铜Q195材料，厚度比是：Cu∶Q195∶Cu＝10～15％∶70～80％∶10～15％，经爆炸焊接、热轧、冷轧工艺，制得在Q195钢层的两面各包覆上一薄层纯铜，成品厚度为0.2～0.4mm，此Cu/Q195/Cu复合材料同美国的Cu/SUS430/Cu复合材料相比，机械物理性能与之相当，其导热率约高出2倍，而成本则降低一半，这种复合材料主要用做冲制集成电路引线框架。