简介:
改变氧化铋涂覆硼酸盐晶须增强铝基复合材料界面结构的预制件烧结工艺,它涉及一种预制件烧结工艺。本发明利用晶须与氧化铋之间的化学反应获得不同的反应产物,使复合材料具有不同的界面结构和界面状态,以获得具有不同性能的复合材料。本发明将预制件在450℃~670℃、680~810℃或820~1000℃的条件下烧结。由于氧化铋涂层在一定条件下与硼酸盐晶须发生反应,可以获得Bi2O3与Al4Bi2O9(或Bi18Mg8O60)涂层,通过控制烧结时间调整Bi2O3与Al4Bi2O9(或Bi18Mg8O60)的比例,然后通过挤压铸造的方法利用经过本发明处理的预制件制备复合材料。获得的界面仅含有Al4Bi2O9相的复合材料的界面阻尼达到高阻尼水平(阻尼值Q-1>0.1)。?
改变氧化铋涂覆硼酸盐晶须增强
铝基
复合材料界面结构的预制件烧结工艺,它涉及一种预制件烧结工艺。本发明利用晶须与氧化铋之间的化学反应获得不同的反应产物,使复合材料具有不同的界面结构和界面状态,以获得具有不同性能的复合材料。本发明将预制件在450℃~670℃、680~810℃或820~1000℃的条件下烧结。由于氧化铋涂层在一定条件下与硼酸盐晶须发生反应,可以获得Bi2O3与Al4Bi2O9(或Bi18Mg8O60)涂层,通过控制烧结时间调整Bi2O3与Al4Bi2O9(或Bi18Mg8O60)的比例,然后通过挤压铸造的方法利用经过本发明处理的预制件制备复合材料。获得的界面仅含有Al4Bi2O9相的复合材料的界面阻尼达到高阻尼水平(阻尼值Q-1>0.1)。?