简介： 本发明公开了一种具有夹层结构的高导热、低膨胀Diamond‑Cu复合材料的制备方法，属于电子封装材料技术领域。该复合材料由体积分数为35～50％的铜合金、体积分数为50～65％的经过改性的金刚石颗粒组成。制备过程为：1)采用真空蒸镀对金刚石表面进行表面镀Cr处理；2)将熔炼的铜合金进行雾化制粉；3)按照设计的体积百分比，将镀Cr金刚石粉末和铜合金充分混合；4)配料并装入模具，在复合材料的上下表面提前预置铜合金粉末；5)热压烧结。本发明首先采用金刚石表面镀膜工艺对金刚石进行改性，提高与铜基体的润湿性；同时采用夹层结构制备了Diamond‑Cu复合材料，致密度高、组织均匀，后续加工简单，表面粗糙度可达<1um Ra，为后续工艺的制定和难点突破提供参考。