简介： 本发明提供一种在C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线的方法，包括以下步骤：首先，制备二氧化硅粉和碳粉的混合粉备用，然后对C/SiC复合材料样品进行喷砂处理，使其表面具有一定的粗糙度，接着采用PIP工艺在样品表面引入碳源，最后，将制得的样品悬空置于硅粉和碳粉的混合物上方，采用化学气相反应法在C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线，本发明首次在C/SiC复合材料表面引入碳源并成功制备了SiC纳米线，解决了在C/SiC复合材料表面强韧化陶瓷涂层增韧相的制备问题，并且SiC纳米线能够大量生成，使得SiC纳米线完全覆盖基体表面，本发明制备方法简单，扩宽了C/SiC复合材料的使用范围。