简介： 本发明涉及一种真空浸渍结合反应熔体浸渗RMI制备C/SiC‑Diamond复合材料的方法，以金刚石作为高热导相，通过真空浸渍的方法将配置好的金刚石浆料引入到已经用CVI法沉积至半致密的C/SiC多孔预制体中，最后用RMI法完成对C/SiC‑Diamond复合材料的致密化工作。该方法可解决C/SiC‑Diamond复合材料制备过程周期长、工艺复杂的问题，而且可以有效提高Diamond与SiC的界面结合强度，从而有效提高复合材料的热导率以及力学性能。