简介： 本发明涉及一种含有氧化铝涂层的高密度C/C‑SiC复合材料坩埚，属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。所述复合材料坩埚包括坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的氧化铝涂层，坩埚本体是通过CVI工艺、树脂浸渍炭化工艺以及PIP工艺依次对炭纤维预制体进行热解炭、树脂炭以及碳化硅增密处理获得的体积密度为1.8g/cm3～2.0g/cm3的C/C‑SiC复合材料，氧化铝涂层的成分以γ‑Al2O3为主；其中，炭纤维预制体的体积密度为0.3g/cm3～0.6g/cm3，热解炭增密至1.0g/cm3～1.2g/cm3，树脂炭增密至1.4g/cm3～1.6g/cm3，碳化硅增密至1.8g/cm3～2.0g/cm3。所述复合材料坩埚既具有支撑作用又可保证熔融硅纯度，而且使用寿命显著提高，有效降低单晶硅拉制成本，解决了现有技术中必须同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅所带来的问题。