负热膨胀系数可调的叠层陶瓷基复合材料及其制备方法
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负热膨胀系数可调的叠层陶瓷基复合材料及其制备方法
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简介: 本发明涉及一种负热膨胀系数可调的叠层陶瓷 基复合材料及其制备方法,采用离心注浆成型工艺,分别将组 分为立方相钨酸锆 ZrW2O8或掺杂改性的钨酸锆 ZrW2O8负膨胀粉体材料以及近零膨胀非晶氧化硅 SiO2粉体分散在聚乙烯醇溶液, 配成钨酸锆粉体浆料及氧化硅粉体浆料;然后采用离心沉积的 手段,将粉体浆料中的水性成分脱去,将钨酸锆粉体与氧化硅 粉体多次交替沉积在过滤片上,形成叠层复合材料的坯体,然 后高温烧结,获得致密的叠层陶瓷复合材料。本发明的叠层陶 瓷复合材料在温度为-20~80℃的范围内,膨胀系数为-8.0~ -3.0×10-6/℃,能用于制作非 温敏性光器件或电子器件的温度补偿封装基片。
本发明涉及一种负热膨胀系数可调的叠层陶瓷 基复合材料及其制备方法,采用离心注浆成型工艺,分别将组 分为立方相钨酸锆 ZrW2O8或掺杂改性的钨酸锆 ZrW2O8负膨胀粉体材料以及近零膨胀非晶氧化硅 SiO2粉体分散在聚乙烯醇溶液, 配成钨酸锆粉体浆料及氧化硅粉体浆料;然后采用离心沉积的 手段,将粉体浆料中的水性成分脱去,将钨酸锆粉体与氧化硅 粉体多次交替沉积在过滤片上,形成叠层复合材料的坯体,然 后高温烧结,获得致密的叠层陶瓷复合材料。本发明的叠层陶 瓷复合材料在温度为-20~80℃的范围内,膨胀系数为-8.0~ -3.0×10-6/℃,能用于制作非 温敏性光器件或电子器件的温度补偿封装基片。
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标签:复合材料
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