简介： 本发明公开了一种低填料含量场敏感型非线性导电复合材料薄膜及其制备方法，本发明以具有高长径比的SiC纳米线为填料，二胺和二酐为单体，制备SiC纳米线/聚酰亚胺复合材料薄膜，且SiC纳米线在复合材料中的体积分数仅为1％‑3％。本方法工艺简单，适合大量制备，所制得的低填充比复合材料薄膜具有良好的非线性电导特性，电导率可以自发随电场强度变化而调控，同时对聚酰亚胺基体的力学性能没有劣化影响，可作为深层介质充电防护材料用于航天器等领域。