简介:
本发明涉及一种负介电材料的制备方法,特别涉及一种具有稳定的弱负介电性能的超构复合材料制备方法,负介电性能对材料组成变化的敏感度低,该发明可应用于电磁屏蔽、吸波、高容量电容器领域。上述负介电材料的制备方法,包括:步骤1:利用正硅酸四乙酯制备不同粒径的SiO2微球;步骤2:炭的前驱体溶液的配置;步骤3:复合材料前驱体的成型;步骤4:碳化前驱体复合材料。本发明所制备的复合材料,其负介电常数在‑400至0范围,由于热解碳的特殊多孔结构,弱负介电性能对碳含量的变化不敏感,性能稳定;通过调控二氧化硅微球的尺寸、前驱体溶液的浓度和碳化温度可方便地调控复合材料的介电性能;复合材料温度稳定性高,使用的温度区间大,可应用于高温电磁领域。
本发明涉及一种负介电材料的制备方法,特别涉及一种具有稳定的弱负介电性能的超构
复合材料制备方法,负介电性能对材料组成变化的敏感度低,该发明可应用于电磁屏蔽、吸波、高容量电容器领域。上述负介电材料的制备方法,包括:步骤1:利用正硅酸四乙酯制备不同粒径的SiO2微球;步骤2:炭的前驱体溶液的配置;步骤3:复合材料前驱体的成型;步骤4:碳化前驱体复合材料。本发明所制备的复合材料,其负介电常数在‑400至0范围,由于热解碳的特殊多孔结构,弱负介电性能对碳含量的变化不敏感,性能稳定;通过调控二氧化硅微球的尺寸、前驱体溶液的浓度和碳化温度可方便地调控复合材料的介电性能;复合材料温度稳定性高,使用的温度区间大,可应用于高温电磁领域。