简介： 本发明公开一种V3S4@C复合材料及其制备方法与应用。所述复合材料包括一维棒状结构的碳基体以及原位生长在该碳基体表面上的V3S4成分的纳米片。所述制备方法包括如下步骤：（1）将含有V2C MXene材料、对苯二甲酸的溶液进行水热反应，分离出反应液中固体产物，干燥后备用。（2）将步骤（1）的所述固体产物进行退火处理，得到前驱体MIL‑47as。（3）对步骤（2）的所述前驱体MIL‑47as进行气相硫化处理，即得V3S4@C复合材料。当该V3S4@C复合材料作为锂硫电池的正极材料时，既可以作为硫的导电基体，又可以加快长链的多硫化锂向Li2S2与Li2S的转化，有效抑制穿梭效应，提升电池的循环性能。