简介： 本发明提供了一种N掺杂的多孔硅基复合材料及其制备方法和用途，所述多孔硅基复合材料中的N来源为含有一个或多个氨烃基支链的有机硅氧烷单体，即来源于所述有机硅氧烷单体中的氨烃基支链，所述N元素的掺杂显著提高了该多孔硅基复合材料的导电性。所述多孔硅基复合材料在制备过程中任选地加入还原剂，所述还原剂的加入促进了由该有机硅氧烷单体为前驱体形成的硅氧化物的还原，使得生成的Si晶粒镶嵌在未还原的硅氧化物基质中，而该硅氧化物能够缓冲Si晶粒在充放电中的体积效应。所述多孔硅基复合材料在制备过程中经HF的刻蚀，在该复合材料内部形成大量的空隙，使其形成多孔硅基复合材料，同样起到缓冲体积效应的作用。