简介:
本发明属于纳米复合材料技术领域,涉及一种层状UiO‑66/g‑C3N4/Ag复合材料的制备方法和应用。本发明先对制备得到g‑C3N4进行质子化处理,将质子化g‑C3N4和UiO‑66复合,得UiO‑66/g‑C3N4,采用光沉积技术将Ag成功负载到了UiO‑66/g‑C3N4上形成了一种新型的三元复合材料UiO‑66/g‑C3N4/Ag,并且使用扫描电子显微镜(SEM)等来证明。UiO‑66/g‑C3N4/Ag复合材料是高效光催化材料,层状复合材料在吸附,光催化,储能等不同领域中起着重要作用。本发明将为MOF,g‑C3N4和贵金属半导体结合成层状纳米结构提供重要基准,以改进材料的光催化性能,从而更好地降解有机污染物。
本发明属于纳米
复合材料技术领域,涉及一种层状UiO‑66/g‑C
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4/Ag复合材料的制备方法和应用。本发明先对制备得到g‑C
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4进行质子化处理,将质子化g‑C
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4和UiO‑66复合,得UiO‑66/g‑C
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4,采用光沉积技术将Ag成功负载到了UiO‑66/g‑C
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4上形成了一种新型的三元复合材料UiO‑66/g‑C
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4/Ag,并且使用扫描电子显微镜(SEM)等来证明。UiO‑66/g‑C
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4/Ag复合材料是高效光催化材料,层状复合材料在吸附,光催化,
储能等不同领域中起着重要作用。本发明将为MOF,g‑C
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4和
贵金属半导体结合成层状纳米结构提供重要基准,以改进材料的光催化性能,从而更好地降解有机污染物。