简介： 本发明涉及一种具有电磁阻抗渐变基体的吸波陶瓷基复合材料快速制备方法，首先采用CVI或PIP工艺制备多孔的碳基复合材料，然后采用RMI工艺得到C‑SiC基复合材料，最后采用氮化工艺，将复合材料中的残余Si转化为Si₃N₄，由此得到基体物相组成由内而外为C→SiC→Si₃N₄，与自由空间的电磁阻抗匹配性能逐渐改善；由外而内为Si₃N₄→SiC→C，对电磁波的损耗能力逐渐增强的吸波型陶瓷基复合材料。本发明工艺可控性强，而且与CVI和PIP法相比具有制备周期短、生产成本低。复合材料在电磁性能方面，基体材料由内而外与自由空间的阻抗匹配性能逐渐改善，由外而内对电磁波的损耗能力逐渐增强，有利于提高复合材料的吸波性能。