简介:
本发明涉及一种软磁复合材料的界面扩散制备方法。软磁复合材料以Fe、Fe‑Si、Fe‑Ni、Fe‑Ni‑Mo、Fe‑Si‑Al、非晶纳米晶软磁合金粉末为原材料;将钝化剂和软磁合金粉末混合,经搅拌、烘干,得到钝化粉;将钝化粉装入成型模具中,压制成磁环;采用B2O3、V2O5、Bi2O3、Na2CO3、Mn2O3、Sb2O3、CuO和低熔点玻璃粉等低熔点化合物将磁环表面包覆,经400~1000℃真空退火1~48h,使低熔点化合物经颗粒界面扩散至磁环内部,提高磁体电阻率,炉冷至室温,获得软磁复合材料。本发明的优点是:无需在磁环压制成型之前加入绝缘介质,避免了压制过程中绝缘介质分布不均;通过真空退火在磁体内部界面处渗透扩散得到的绝缘层非常薄,避免了传统工艺中绝缘层导致磁体磁导率大幅降低的问题。
本发明涉及一种软磁
复合材料的界面扩散制备方法。软磁复合材料以Fe、Fe‑Si、Fe‑Ni、Fe‑Ni‑Mo、Fe‑Si‑Al、非晶纳米晶软磁合金粉末为原材料;将钝化剂和软磁合金粉末混合,经搅拌、烘干,得到钝化粉;将钝化粉装入成型模具中,压制成磁环;采用B2O3、V2O5、Bi2O3、Na2CO3、Mn2O3、Sb2O3、CuO和低熔点玻璃粉等低熔点化合物将磁环表面包覆,经400~1000℃真空退火1~48h,使低熔点化合物经颗粒界面扩散至磁环内部,提高磁体电阻率,炉冷至室温,获得软磁复合材料。本发明的优点是:无需在磁环压制成型之前加入绝缘介质,避免了压制过程中绝缘介质分布不均;通过真空退火在磁体内部界面处渗透扩散得到的绝缘层非常薄,避免了传统工艺中绝缘层导致磁体磁导率大幅降低的问题。