简介:
本发明公开了一种弥散分布自愈合相B12(C, Si, B)3改性SiC/SiC复合材料的制备方法,用于解决现有方法在引入致密自愈合改性相时因连续分布造成断裂韧性差的技术问题。技术方案是采用真空?压力浸渍在多孔SiC/SiC复合材料内引入混有B4C粉的酚醛树脂;然后固化、裂解、热处理;在真空条件下进行短时液硅渗透。熔融Si与裂解C和B4C反应生成三元相B12(C, Si, B)3和SiC,二者弥散分布在未反应的Si中。本发明CVI?SiC基体在液硅渗透过程中可以有效保护SiC纤维和BN界面,尽可能减小对SiC纤维的损伤,复合材料的断裂韧性由背景技术的8MPa·m1/2提高到15~26MPa·m1/2。
本发明公开了一种弥散分布自愈合相B12(C, Si, B)3改性SiC/SiC
复合材料的制备方法,用于解决现有方法在引入致密自愈合改性相时因连续分布造成断裂韧性差的技术问题。技术方案是采用真空?压力浸渍在多孔SiC/SiC复合材料内引入混有B4C粉的酚醛树脂;然后固化、裂解、热处理;在真空条件下进行短时液硅渗透。熔融Si与裂解C和B4C反应生成三元相B12(C, Si, B)3和SiC,二者弥散分布在未反应的Si中。本发明CVI?SiC基体在液硅渗透过程中可以有效保护SiC纤维和BN界面,尽可能减小对SiC纤维的损伤,复合材料的断裂韧性由背景技术的8MPa·m1/2提高到15~26MPa·m1/2。