简介:
本发明公开了一种碳/碳化硅陶瓷基复合材料密度标定方法。首先利用CVI工艺制备C/SIC复合材料分阶段逐步致密的特点,在C/SIC复合材料制备的各致密阶段获取随炉梯度密度标样;然后采用工业CT技术一次同步检测梯度密度标样和被标定C/SIC复合材料,获得CT图像;建立梯度密度标样CT值与其密度之间的函数标定关系;最后利用函数标定关系来标定同一CT扫描截面上C/SIC复合材料的内部密度分布。由于采用一次同步完成标样和被标定C/SIC复合材料的CT截面扫描,获得的复合材料内部密度分布信息准确,检测速度快,精度高,成本低。
本发明公开了一种碳/
碳化硅陶瓷基
复合材料密度标定方法。首先利用CVI工艺制备C/SIC复合材料分阶段逐步致密的特点,在C/SIC复合材料制备的各致密阶段获取随炉梯度密度标样;然后采用工业CT技术一次同步检测梯度密度标样和被标定C/SIC复合材料,获得CT图像;建立梯度密度标样CT值与其密度之间的函数标定关系;最后利用函数标定关系来标定同一CT扫描截面上C/SIC复合材料的内部密度分布。由于采用一次同步完成标样和被标定C/SIC复合材料的CT截面扫描,获得的复合材料内部密度分布信息准确,检测速度快,精度高,成本低。