简介:
本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的C/SiC复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。本发明所述复合材料坩埚包括C/SiC复合材料坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层,且C/SiC复合材料坩埚本体中的陶瓷基体为β‑SiC;α‑Al2O3涂层与β‑SiC陶瓷基体具有良好的适配性,结合强度高,在满足坩埚力学性能要求的基础上,一方面大大降低了Si蒸汽对坩埚的侵蚀,而且避免了对复合材料坩埚的机械损伤,提高了坩埚的使用寿命,一方面在单晶硅拉制过程中不会引入杂质成分,保证了拉制单晶硅过程中熔融硅的纯度,满足单晶硅拉制的需求,相比于同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅,采用本发明所述复合材料坩埚拉制单晶硅的成本降低。
本发明涉及一种含有α‑Al2O3涂层的C/SiC
复合材料坩埚,属于单晶硅拉制炉用热场部件技术领域。本发明所述复合材料坩埚包括C/SiC复合材料坩埚本体以及涂覆在坩埚本体内表面的α‑Al2O3涂层,且C/SiC复合材料坩埚本体中的陶瓷基体为β‑SiC;α‑Al2O3涂层与β‑SiC陶瓷基体具有良好的适配性,结合强度高,在满足坩埚力学性能要求的基础上,一方面大大降低了Si蒸汽对坩埚的侵蚀,而且避免了对复合材料坩埚的机械损伤,提高了坩埚的使用寿命,一方面在单晶硅拉制过程中不会引入杂质成分,保证了拉制单晶硅过程中熔融硅的纯度,满足单晶硅拉制的需求,相比于同时使用石英坩埚和炭/炭复合材料坩埚拉制单晶硅,采用本发明所述复合材料坩埚拉制单晶硅的成本降低。