简介： 一种硅化金刚石/SiC复合材料的制备方法，属于电子封装材料领域。首先将金刚石颗粒与硅粉进行湿混，充分研磨后进行烧结，使得金刚石表面与硅粉发生反应，生成一层碳化硅涂层，然后以表面镀覆碳化硅的金刚石颗粒与硅粉混合，同时加入有机粘结剂，研磨并且在混料机上混料，得到了均匀的复合颗粒。这些复合颗粒经过预压、脱脂，移入真空熔渗炉中，采用硅掩埋法进行真空熔渗，制备了致密的金刚石/SiC复合材料。本发明采用硅粉对金刚石微粒进行了改性，提高了金刚石与硅之间的界面结合性，得到的金刚石/SiC复合材料致密度在95％以上，硬度HRA80以上，抗弯强度超过200MPa，热导率可达到600W/mK，热膨胀系数1.5～4×10‑6/K。本发明可一次制备多种复杂性状，复杂曲率，大尺寸的产品，生产效率高、成本低。