简介： 本发明涉及一种碳/碳复合材料表面晶粒细小碳化硅涂层的制备方法，对经打磨抛光清洗干燥后的碳/碳复合材料进行原子氧氧化处理，原子氧氧化处理后碳/碳复合材料表面呈现“绒状”，这些绒状表面可提供大量的形核点，有助于SiC涂层的形核，使其在碳/碳表面形成更加均匀致密的涂层。再利用包埋法在氩气保护的真空炉中在经过原子氧氧化的碳/碳复合材料表面制备碳化硅涂层，制备的SiC涂层晶粒尺寸为1‑5μm，传统包埋法制备的SiC涂层晶粒尺寸约20‑100μm。相比未经过原子氧氧化处理的试样氧化后，表面出现大量的孔洞和裂纹，孔洞尺寸约20μm‑500μm。而经过原子氧氧化处理的试样氧化后，表面孔洞较少，孔洞尺寸约20μm‑110μm，且表面形成的玻璃态较连续，能够有效保护C/C复合材料。