简介： 本发明涉及复合材料晶片的制造方法和旧施体基材的再循环方法,所述复合材料晶片的制造方法包括多个步骤,所述再循环方法是对在复合材料晶片的制造方法中获得的施体基材进行再循环的方法,其中为了改善所述施体基材的再循环率,实施至少一个热处理步骤,配置所述热处理步骤以至少部分减少氧沉淀和/或氧核。