简介： 本发明属于一种碳化硅晶须补强氮化硅复合材 料的制造方法，是用Si3N4、SiO2、碳黑及助烧结剂为 原料，于1500～1900℃，1.1～10atmN2压力下合成 SiC晶须，然后在600～700℃脱碳，脱碳后的复合原 料于1700～1900℃，N2气氛下热压0 5～2小时，即 可得到致密的Si3N4-SiC(w)复合材料，本发明得到 的复合材料的断裂韧性为8.0MPa·m1/2常温强度 为670MPa，经1300℃氧化100小时后在1300℃测 得高温强度为621MPa，仅比常温强度降低了 7.3％。