简介： 本发明提供了一种AlN‑W‑Cu复合材料以及制备该AlN‑W‑Cu复合材料的方法。基于100wt％的复合材料的总重量，AlN的含量为1wt％～20wt％；W的含量为50wt％～85wt％；以及Cu的含量为10wt％～35wt％。所述AlN‑W‑Cu复合材料具有Cu填充在多孔W‑AlN骨架中的结构。本发明所述的AlN‑W‑Cu复合材料克服传统的W‑Cu复合材料因高密度影响其加工和应用的缺点，使复合材料具有更宽的密度范围，提高材料的可加工性，并且满足电子元件小型化和轻量化的要求，拓宽W‑Cu复合材料的应用范围，可应用于电子封装、半导体散热片等领域。