简介： 一种电子封装用Cu/Ag(Invar)复合材料的制备方法，采用主盐为AgNO3，还原剂为KNaC4H4O6的化学镀溶液体系对平均粒径为25‑50 um的Invar粉体进行化学镀Ag，制备出化学镀Ag(Invar)复合粉体，以Ag(Invar)复合粉体与平均粒径为25‑50 um的Cu粉为原料，按照30‑50 wt%Cu的成分配料后，加入原料粉体总量0.5wt%的硬脂酸锌作为润滑剂，双轴滚筒混料，300‑600 MPa单向压制，高纯H2气氛保护，650‑800 ℃保温1‑3 h常压烧结制备Cu/Ag(Invar)复合材料，并采用多道次冷轧+退火的形变热处理工艺实现复合材料的近完全致密化。采用上述工艺制备的40 wt%Cu/Ag(Invar)复合材料可达致密度99%，硬度为HV256，热膨胀系数11.2×10‑6 K‑1，热导率53.7 W·(m·K)‑1，综合性能优异，可用作高性能电子封装热沉材料。