简介： 本发明涉及一种纳米箔带扩散连接碳化硅陶瓷基复合材料的工艺，属于焊接制造技术领域。由于陶瓷及陶瓷基复合材料的加工性能较差、耐热冲击能力弱，国内外在陶瓷或陶瓷基复合材料的连接中，普遍使用传统的Ag-Cu-Ti、Cu-Ti系活性钎料进行钎焊连接，但相应的接头耐热温度很难超过500℃。本发明提供一种可用于SiC陶瓷基复合材料的低温活化连接、接头耐高温的连接方法，通过采用纳米级厚度的Ti和Al金属层交替叠加的箔带作为焊料，经过热压烧结方法，实现碳化硅陶瓷基复合材料的连接，获得的连接接头不仅室温强度高，而且室温接头强度的75％以上可以稳定至1100℃的高温。