简介： 本发明涉及制造复合材料晶片的方法,特别是涉及制造绝缘体上硅类型的晶片的方法,该方法包括以下步骤:提供施主衬底;形成绝缘层;提供操作衬底;在所述施主衬底中创建预定的分离区;将所述施主衬底附接到操作衬底;以及在所述预定的分离区分离所述施主衬底,以获得所述复合材料晶片。为了能够在随后的制造操作中对所述施主衬底的剩余部分进行更频繁的再利用,本发明的特征在于:设置在所述施主衬底上的所述绝缘层具有500的最大厚度,或者所述绝缘层是通过沉积来设置的或者所述绝缘层仅设置在所述操作衬底上。此外,本发明还公开了硅上硅型晶片的制作方法。