简介： 本发明涉及一种制造复合材料晶片的方法,具体地说是制造绝缘体上硅型的晶片的方法,所述方法包括以下步骤:提供初始施主衬底,在所述初始施主衬底上形成绝缘层,在所述初始施主衬底中形成预定分裂区,将所述初始施主衬底粘接到操作衬底上,以及在所述预定分裂区剥离所述施主衬底,由此将所述初始施主衬底的一层转移到所述操作衬底上,以形成复合材料晶片。为了能够更多次再使用施主衬底,本发明提出在低于950℃,具体地说是低于900℃,优选是在850℃或更低的温度下执行热处理步骤以形成绝缘层。本发明还涉及根据本发明方法制造的绝缘体上硅型的晶片。