简介:
本发明涉及一种二氧化锆掺杂改性钛酸锶钡- 氧化镁基(Ba1-x SrxTiO3/MgO)复合材料及其制备方法。所述材料是以钛酸锶钡和 氧化镁为基体,并在此基础上进行微量氧化锆的掺杂改性,组 成为:(1-y)Ba1- xSrxTiO3+yMgO+zZrO2,其中0.35≤x≤0.45,y=50wt%,0wt%<z≤3.0wt%。 其制备工艺是将原料BaCO3, SrCO3, TiO2按固相法制备得到 Ba1- xSrxTiO3 (BSTO)粉体,然后根据组成设计,将 BSTO粉体和不同量的MgO和 ZrO2混合制备所述的复合材料, 结果表明氧化锆的掺杂大大提高了介电常数的可调性,使得该 类材料在偏置电场2.5kV/mm下具有14~17%的可调性并具有 低介电常数、低微波损耗、良好温度稳定性等特点,特别适合 相控阵移相器等微波器件用。
本发明涉及一种二氧化锆掺杂改性钛酸锶钡- 氧化镁基(Ba1-x SrxTiO3/MgO)
复合材料及其制备方法。所述材料是以钛酸锶钡和 氧化镁为基体,并在此基础上进行微量氧化锆的掺杂改性,组 成为:(1-y)Ba1- xSrxTiO3+yMgO+zZrO2,其中0.35≤x≤0.45,y=50wt%,0wt%<z≤3.0wt%。 其制备工艺是将原料BaCO3, SrCO3, TiO2按固相法制备得到 Ba1- xSrxTiO3 (BSTO)粉体,然后根据组成设计,将 BSTO粉体和不同量的MgO和 ZrO2混合制备所述的复合材料, 结果表明氧化锆的掺杂大大提高了介电常数的可调性,使得该 类材料在偏置电场2.5kV/mm下具有14~17%的可调性并具有 低介电常数、低微波损耗、良好温度稳定性等特点,特别适合 相控阵移相器等微波器件用。