简介： 本发明公开了一种SiC纳米线原位增强的SiCf/SiC复合材料及其制备方法，该复合材料包括SiC纤维预制件、SiC纳米线和SiC陶瓷基体，所述SiC纳米线原位生长于所述SiC纤维预制件的纤维表面，所述SiC纳米线之间相互缠绕成网状结构；所述SiC陶瓷基体填充于所述SiC纤维预制件的孔隙中。制备方法包括：（1）表面化学改性处理；（2）加载催化剂；（3）化学气相沉积；（4）先驱体浸渍裂解。该SiC纳米线原位增强的SiCf/SiC复合材料具有SiC纳米线分布均匀不团聚且与SiC纤维结合良好、强韧性好、致密度高等优点，制备方法工艺简单、设备要求低、环保、工艺通用性好，SiC纳米线引入体积分数高且可控。