简介： 本发明公开了制备原位TiB2颗粒和TiB晶须混杂增强Cu基复合材料的方法，在KQM‑X4Y式行星式球磨机中制备两种不同Ti和B原子比例的复合粉末，将制备的两种不同比例的Ti‑B复合粉末与电解纯Cu粉在混粉机中按照一定比例进行机械混粉，之后将混合均匀的复合粉末在不锈钢模具中冷压成型，最后在气氛保护炉中进行加压烧结完成TiB2颗粒和TiB晶须混杂增强Cu基复合材料的制备。该方法制备的Cu基复合材料，同时兼备较高的导电率和硬度，解决了单一结构的增强相增强Cu基复合材料中过分依赖含量的增加而使导电率严重下降的问题，在一定程度上缓解了Cu基复合材料中强度和导电率这对矛盾，使该复合材料的综合性能得到了提升。