简介： 本发明公开了一种含MAX相界面层的SiC_f/SiC复合材料的制备方法，采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积，获得含MAX相界面层的SiC纤维，然后采用先驱体浸渍裂解的方法陶瓷化获得SiC_f/SiC复合材料；所述MAX相为Ti₃SiC₂；所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1～0.2μm的TiC过镀层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti₃SiC₂，所述Ti₃SiC₂的厚度控制为0.6～1.0μm；本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含MAX相界面层的SiC_f/SiC复合材料，有效降低了沉积温度，避免了纤维的损伤，所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时本发明采用双先驱体浸渍法，有效的提升了浸渍效率，并获得了化学计量比的碳化硅陶瓷。