简介： 本发明涉及一种纳米级高强度、导电性TiO2－Si3N4复合材料的制备方法，其特征在于首先用非均相沉淀法制备锐钛矿型纳米TiO2－Si3N4复合粉体，由纳米TiO2－Si3N4复合粉体原位氮化制成氧化钛－氮化硅复合粉体，然后原位氮化制成TiN－Si3N4复合粉体，加入Y2O3、Al2O3添加剂，制成TiN－Si3N4－Al2O3－Y2O3复合粉体，将TiN－Si3N4－Al2O3－Y2O3的复合粉体热压烧结而制成高强度、导电性的TiO2－Si3N4复合材料；复合材料中TiN/Si3N4=5/87～25/67，Al2O3为3，Y2O3为5(均为vol％)。本发明提供的方法制备的TiN－Si3N4中TiN/Si3N4=5/87～25/67(vol％)，在TiN含量为20－25vol％导电性最高，原位氮化后TiN颗均匀包裹在Si3N4颗粒表面，晶粒尺寸为40－50纳米；比文献报道的(30－50)vol％TiN含量低。