简介:
一种TiB2/Al高阻尼复合材料的制备工艺,属于材料领域。本发明复合材料的成分重量百分比组成为,Si 4~13%,Cu 0~8%,Mg 0~1.3%,Mn 0~0.9%,TiB20.1~20%,其余为Al。本发明利用反应盐法制备原位自生TiB2/Al高阻尼复合材料,包括以下步骤:加入铝锭全部熔化后用覆盖剂覆盖熔体;铝熔体保温后加入烘干的K2TiF6、KBF4混和盐并搅拌;反应结束后舀出混和盐反应产物,加入Si及Cu、Mg、Mn其中的一种或二种或三种调整化学成分,静置后浇入锭模,即获得原位自生TiB2/Al高阻尼复合材料。本发明原位自生TiB2颗粒表面洁净,与铝基体界面结合良好,且常温下阻尼达到高阻尼材料的要求,为生产高阻尼复合材料奠定了坚实的基础。
一种TiB2/Al高阻尼
复合材料的制备工艺,属于材料领域。本发明复合材料的成分重量百分比组成为,Si 4~13%,Cu 0~8%,Mg 0~1.3%,Mn 0~0.9%,TiB20.1~20%,其余为Al。本发明利用反应盐法制备原位自生TiB2/Al高阻尼复合材料,包括以下步骤:加入
铝锭全部熔化后用覆盖剂覆盖熔体;铝熔体保温后加入烘干的K2TiF6、KBF4混和盐并搅拌;反应结束后舀出混和盐反应产物,加入Si及Cu、Mg、Mn其中的一种或二种或三种调整化学成分,静置后浇入锭模,即获得原位自生TiB2/Al高阻尼复合材料。本发明原位自生TiB2颗粒表面洁净,与铝基体界面结合良好,且常温下阻尼达到高阻尼材料的要求,为生产高阻尼复合材料奠定了坚实的基础。