简介:
本发明公开了一种在直流电场作用下定向凝固提纯多晶硅的方法,该方法是在多晶硅定向凝固晶体生长过程中,对熔融硅液施加一个与晶体生长方向平行的直流电场,使杂质在电场作用下迅速向电极方向迁移,即阳离子杂质向阴极方向迁移,阴离子杂质向阳极方向迁移,有效降低晶体生长先端液相中的杂质浓度,使后续生长的晶体杂质含量更低,获得比传统定向凝固纯度更高的多晶硅锭。
本发明公开了一种在直流电场作用下定向凝固提纯
多晶硅的方法,该方法是在多晶硅定向凝固晶体生长过程中,对熔融硅液施加一个与晶体生长方向平行的直流电场,使杂质在电场作用下迅速向电极方向迁移,即阳离子杂质向阴极方向迁移,阴离子杂质向阳极方向迁移,有效降低晶体生长先端液相中的杂质浓度,使后续生长的晶体杂质含量更低,获得比传统定向凝固纯度更高的多晶硅锭。