简介： 本发明公开了一种磁控溅射用复合靶材的设计方法，涉及磁控溅射技术及无机化合物功能薄膜制备技术领域。其是由切割成5°、10°、30°、60°的扇形段的各组元单质薄板靶材，按照一定角度比例均匀交替拼接构成的复合靶材，其组元成分比例均匀、稳定、易于变更。通过调节各组元的扇形段角度就可以调整复合靶材的成分，从而调节化合物薄膜的化学计量比，且溅射得到的化合物薄膜成分均匀。本发明特别适用于如赫斯勒及半赫斯勒化合物等具有脆性、及由于组元熔点差异较大或部分组元成分易于偏析而难以制成符合化学计量比的化合物靶材的薄膜制备，是一种不需要使用多靶材共溅射法、但能取得共溅射生长化合物薄膜或复合薄膜效果的新型复合靶材设计方法。